光束轮廓
单模 VCSEL 的远场光强分布完全符合高斯模式
单模 VCSEL
凭借经过优化的光学特性，单模 VCSEL 成为高要求多传感器系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制，同时具有线性偏振稳定性。
高斯型光束轮廓
出色对称的高斯型光束轮廓显著简化应用的光学设计。
小光束发散角
散射角的范围为 20° (1/e2) 或更小，可重复再现，简化了激光光束传导。
光谱宽度窄
凭借光谱宽度通常为 100 MHz 的激光线，此类激光器专为光谱应用而设计。
低功率消耗
由于功率消耗仅为数毫瓦，移动应用中可采用电池运行。
用于高精度定位的光学编码器
单模 VCSEL 具有高斯型光束轮廓、低功率消耗、长相干长度和出色可靠性等特点，因此非常适合光学编码器应用。
FTIR（Fourier-transform infrared spectroscopy，傅里叶转换红外光谱）
凭借辐射波长的低温度依赖性 (0.06 nm/K) 和典型值为 100MHz 的窄带光谱发射，温度稳定型单模 VCSEL 特别适合用作 FTIR 光谱仪的波长基准。
氧气传感器
单模 VCSEL 非常适合 TDLAS（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy，可调谐二极管激光吸收光谱）应用。TDLAS 系统得益于具有 TEC 的单模 VCSEL 所提供的较窄线宽和精细可控。
高精度深度传感器
单模 VCSEL 阵列非常适合高精度 ToF（Time-of-Flight，飞行时间）应用。使用单模 VCSEL 阵列可以进行几米到 0 mm 范围内的线性深度测量。
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TVT-006-850-A（850 nm 芯片）
产品对比
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TVT-007-940-B（具有高斯型光束轮廓的 VCSEL 阵列）
产品对比
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TVP-001-850-A (ViP)
产品对比
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TTO-002-xxx-A（TO 工艺包）
产品对比
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|---|---|---|---|---|
| 激光参数 | ||||
| 激光类别 | Single 模式 | Single 模式 | Single 模式 | Single 模式 |
| 波长 | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
| 输出功率（最小） | 2 mW | 13.5 mW | 0.3 mW | - |
| 输出功率（最大） | 2.5 mW | 25 mW | 0.75 mW | - |
| 区域的数量 | 1 件 | 12 件 | 2 件 | 1 件 |
| 斜度效率（室温下） | 0.5 - 1 W/A | 0.9 W/A | - | - |
| 激光等级 | 3B | 3B | 3B | 3B |
| 激光加工单元 | ||||
| 光学元件 | - | - | 带偏振光控制 | 带内置加工头的 TO 工艺包 |
| 电流 | ||||
| 电流电压（在 25 mA 和室温下） | 2.6 V | 2.6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
| 阈值电流（室温下） | 2 mA | 3.6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
| 尺寸 | ||||
| 尺寸 宽度 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 尺寸 高度 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 尺寸 深度 | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
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TVT-006-850-A（850 nm 芯片）
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TVT-007-940-B（具有高斯型光束轮廓的 VCSEL 阵列）
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TVP-001-850-A (ViP)
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TTO-002-xxx-A（TO 工艺包）
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|---|---|---|---|---|
| 激光参数 | ||||
| 激光类别 | Single 模式 | Single 模式 | Single 模式 | Single 模式 |
| 波长 | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
| 输出功率（最小） | 2 mW | 13.5 mW | 0.3 mW | - |
| 输出功率（最大） | 2.5 mW | 25 mW | 0.75 mW | - |
| 区域的数量 | 1 件 | 12 件 | 2 件 | 1 件 |
| 斜度效率（室温下） | 0.5 - 1 W/A | 0.9 W/A | - | - |
| 激光等级 | 3B | 3B | 3B | 3B |
| 激光加工单元 | ||||
| 光学元件 | - | - | 带偏振光控制 | 带内置加工头的 TO 工艺包 |
| 电流 | ||||
| 电流电压（在 25 mA 和室温下） | 2.6 V | 2.6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
| 阈值电流（室温下） | 2 mA | 3.6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
| 尺寸 | ||||
| 尺寸 宽度 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 尺寸 高度 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 尺寸 深度 | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
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技术数据表
所有产品款型的技术数据以供下载。
850 nm 芯片
850 nm 芯片不仅输出高，还同时具备耗电量低的优点。该芯片适合大容量以及高集成的应用。激光二极管将作为带载芯片交付。这一供货方式的前提条件是采用自动拾取或贴装工艺来加工激光二极管。
具有高斯型光束轮廓的小型 940 nm VCSEL 阵列
用于高精度飞行时间传感器的 12 个发射器微型单模 VCSEL 阵列。具有高斯型光束轮廓和超短上升及下降时间的 VCSEL 阵列。
850 nm ViP（集成有光电二极管的 VCSEL）
内置的 VCSEL 解决方案 ViP 装备一个光电二极管，它直接内置于 VCSEL 内，用于接收和进一步处理反射信号。因此该专利解决方案还支持自混合干涉技术（简称：SMI）。SMI 是一种可靠的光学测量技术，广泛应用于工业多传感器系统以及消费类电子产品。
760 nm – 766 nm VCSEL
每个配备单发射器的 VCSEL 均可提供 0.3 mW 的输出。波长范围在 760 nm 和 766 nm 之间的 VCSEL 适合用于氧气测量和气体多传感器系统。VCSEL 部件采用 TO 封装以方便处理和集成。
TO 封装
VCSEL 采用 TO 封装外壳，方便处理激光二极管，适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试，集成的稳压二极管会降低静电放电 (ESD) 敏感度。
TO，带 TEC
对于需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用，适宜采用内置 TEC 的 TO 封装。帕尔帖元件允许通过 NTC 电阻精确调节激光温度，外壳密封性则防止 VCSEL 出现冷凝。
偏振控制
单模 VCSEL 具有稳定、先进的线性偏振，可为要求严苛的 3D 照明应用提高照明质量和分辨率。
表面网格确保偏振光的稳定性，直接蚀刻在砷化镓上。由于网格设计经过优化，带偏振光 VCSEL 的功效与不带偏振光的 VCSEL 相比几乎可以达到 100%。通快针对大批量应用开发出带稳定偏振光的 VCSEL 专利技术。
也可选配双重偏振，这样一来就可将两个偏振装置整合在单个 VCSEL 之中。
TO 封装
单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳，方便使用激光二极管，适合在严苛的环境条件下运行。也可以为产品选装调温系统（TEC，热敏电阻）。
集成光电二极管
集成有光电二极管（ViP）的 VCSEL 可捕获反射信号以做进一步处理。因此该专利解决方案还支持自混合干涉技术（简称：SMI）。SMI 是一种可靠的光学测量法，被广泛应用于工业多传感器系统以及消费类电子产品。
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